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인텔을 포함한 여러 기업들이 차세대 USB 기술을 2008년 상반기에 발표할 계획이다. 인텔에 따르면 차세대 기술은 전통적인 구리철사에 광섬유 링크를 더해 데이터 전송 속도가 10배나 빨라진다.
Stephen Shankland ( CNET News.com )   2007/09/20  
인텔의 디지털 엔터프라이즈 사업부 담당 총괄 매니저 팻 겔싱어는 ‘인텔 개발자 포럼(IDF)’의 연설에서 인텔이 2008년 상반기에 USB 3.0을 출시하기 위해 USB 3.0 프로모터스 그룹의 멤버 기업인 MS, HP, 텍사스 인스트루먼츠, NEC, NXP 반도체와 공동 작업을 진행중이라고 밝혔다.

인텔은 인텔 개발자 포럼에서 USB 3.0 프로토타입 커넥터와 애드인 카드를 선보였다. (제공: Stephen Shankland/CNET Networks)
겔싱어는 연설 후 인터뷰에서 “릴리스에서 실제 제품이 등장할 때까지 1~2년 정도의 시차가 있으므로 USB 3.0을 지원하는 제품은 2009년이나 2010년에 시장에 등장할 것이다. 연설에서 선보인 프로토 타입은 실제 동작하고 있는 것으로 USB 3.0은 처음부터 광섬유와 구리 철사를 이용한 것”이라고 말했다.

현재 USB 2.0의 최대 전송 속도는 480Mbps이며, USB 3.0은 이것의 10배인 4.8Gbps가 된다.

이 정도 속도를 필요로 하는 디바이스는 적지만 HDD, 플래시 카드 리더, DVD, 블루레이 디스크, HD DVD 등의 광 드라이브처럼 고속 전송 속도를 필요로 하는 것도 있다. 현재 가장 빠른 플래시 카드 리더는 IEEE 1394(방화벽)기술을 이용한 것으로 최대 전송 속도는 800Mbps 이다.

겔싱어에 의하면 USB 3.0은 소비 전력 효율도 강화된다. 또 후방 호환성이 있어 USB 3.0 포트에 USB 2.0 디바이스를 접속할 수 있다. @
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